A diferença entre EEPROM, EPROM, FLASH, SRAM, DRAM, SDRAM e SDRAM
EEPROM, EPROM, FLASH são todos baseados em uma estrutura transister de porta flutuante. A porta flutuante da EPROM está em uma camada isolante de sílica, e os elétrons carregados só podem ser excitados pela energia dos raios ultravioleta, e a unidade da EEPROM é composta por FLOTOX (transister de óxido de sintonia com porta flutuante) e um transister adicional, que pode ser lido/escrito pela unidade devido às características do FLOTOX e à estrutura de dois tubos. Tecnicamente, o FLASH é alcançado combinando tecnologias EPROM e EEPROM, e muitos FLASH utilizam injeção termoiônica por avalanche para programar, apagando usando sintonia Fowler-Nordheim como a EEPROM. Mas a principal diferença é que o FLASH fornece apagamentos grandes ou inteiros do chip, o que reduz a complexidade do projeto, e ele pode prescindir do Tansister extra na unidade EEPROM, então pode alcançar alta integração, grande capacidade, e o processo de grade flutuante do FLASH também é diferente, além da velocidade de gravação mais rápida.
Na verdade, para os usuários, a principal diferença entre EEPROM e FLASH é
1。 A EEPROM pode ser apagada por "bit", enquanto o FLASH só pode ser apagado por fatias grandes.
2。 A EEPROM geralmente tem pequena capacidade e, se for grande, não tem vantagem de preço em comparação com a FLASH. O EERPOM independente vendido no mercado geralmente tem menos de 64KBIT, enquanto o FLASH geralmente tem 8 MEG BIT ou mais (tipo NOR).
3。 Em termos de velocidade de leitura, não deveria ser a diferença entre os dois, mas o EERPOM geralmente é usado para produtos de baixo padrão, e a velocidade de leitura não precisa ser tão rápida.
4。 Como a unidade de memória da EEPROM é composta por dois tubos e o FLASH é um (exceto para o SST, que é semelhante a dois tubos), no caso do CICLING, a EEPROM é melhor que o FLASH, e não há problema até 1000 mil vezes.
Em geral, não há grande diferença entre EEPROM e FLASH para os usuários, mas a EEPROM é um produto de baixo padrão, com baixa capacidade e preço baixo, embora a estabilidade seja melhor que a do FLASH. Mas para o projeto da EEPROM e do FLASH, o FLASH é muito mais difícil, tanto em termos de design de processos quanto de circuitos periféricos.
Memória flash refere-se à "memória flash", a chamada "memória flash", que também é uma memória não volátil, pertencente ao produto aprimorado da EEPROM. Sua maior característica é que ela deve ser apagada por bloco (o tamanho de cada bloco varia, diferentes fabricantes têm especificações diferentes), enquanto a EEPROM pode apagar apenas um byte por vez. Atualmente, a "memória flash" é amplamente usada em placas-mãe de PC para salvar programas de BIOS e facilitar atualizações de programas. Outra área importante de aplicação é usá-la como subs服装, que tem vantagens de resistência a choques, alta velocidade, ausência de ruído e baixo consumo de energia, mas não é adequada para substituir a RAM, pois a RAM precisa poder ser reescrita byte a byte, o que a Flash ROM não pode.
ROM e RAM referem-se ambos à memória semicondutora, ROM é a abreviação de Read Only Memory, e RAM é a abreviação de Random Access Memory. A ROM ainda pode manter dados quando o sistema está desligado, enquanto a RAM geralmente perde dados após uma queda de energia, e a RAM típica é a memória do computador.
Existem dois tipos de RAM: um é chamado de RAM estática (RAM estática), a SRAM é muito rápida, atualmente é o dispositivo de armazenamento mais rápido para ler e escrever, mas também é muito cara, então só é usada em lugares muito exigentes, como buffer nível 1 da CPU e buffer nível 2. A outra é chamada de RAM dinâmica (Dynamic RAM/DRAM), A DRAM retém dados por um curto período, e a velocidade é mais lenta que a da SRAM, mas ainda é mais rápida que qualquer ROM, porém, em termos de preço, a DRAM é muito mais barata que a SRAM, e a memória do computador é a DRAM.
A DRAM é dividida em muitos tipos, sendo os mais comuns FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM, SGRAM e WRAM, etc. Aqui está uma introdução a uma das DDR RAM. A RAM DDR (Date-Rate RAM), também conhecida como DDR SDRAM, é basicamente igual à SDRAM, exceto que pode ler e gravar dados duas vezes em um único clock, o que dobra a velocidade de transferência de dados. Essa é a memória mais usada em computadores hoje e tem uma vantagem de custo, na verdade, superando outro padrão de memória da Intel - a DRAM Rambus. Muitas placas de vídeo de alto desempenho também possuem RAM DDR de alta velocidade para aumentar a largura de banda, o que pode melhorar muito as capacidades de renderização de pixels das placas de aceleração 3D.
Também existem muitos tipos de ROMs, PROM é ROM programável, a diferença entre PROM e EPROM (ROM programável apagável) é que PROM é descartável, ou seja, após a injeção do software, não pode ser modificada, este é um produto antigo, agora impossível de usar, e a EPROM é feita através de luz ultravioleta para apagar o programa original, que é uma memória universal. Outro tipo de EEPROM é eletronicamente apagado, que é muito caro, tem um longo tempo de escrita e é muito lento.
Por exemplo, softwares de telefonia móvel geralmente são colocados na EEPROM, fazemos uma ligação, alguns dos últimos números discados existem temporariamente na SRAM, não são imediatamente gravados através do registro (os registros de chamadas são salvos na EEPROM), porque há um trabalho muito importante (chamada) a ser feito naquele momento; se for escrito, a longa espera é insuportável para o usuário.
A memória FLASH, também conhecida como memória flash, combina as forças da ROM e da RAM, não só possui o desempenho do programável eletrônico apagável (EEPROM), mas também pode ler rapidamente dados sem perda de energia (vantagem da NVRAM), usada em pen drives USB e MP3s. Nos últimos 20 anos, sistemas embarcados têm usado ROM (EPROM) como seu dispositivo de armazenamento, mas nos últimos anos o Flash substituiu completamente a ROM (EPROM) em sistemas embarcados como carregador de boot, sistema operacional ou código de programa ou diretamente como disco rígido (pen drive USB).
Atualmente, existem dois tipos principais de Flash: Flash NOR e Flash NADN. O NOR Flash lê o mesmo que nossas leituras comuns de SDRAM, e os usuários podem executar diretamente o código carregado no NOR FLASH, o que pode reduzir a capacidade da SRAM e economizar custos. O NAND Flash não adota a tecnologia de leitura aleatória de memória, sua leitura é realizada na forma de uma leitura por vez, geralmente 512 bytes por vez, e o Flash com essa tecnologia é mais barato. Os usuários não podem rodar o código diretamente no NAND Flash, então muitas placas de desenvolvimento usando NAND Flash usam um pequeno trecho do NOR Flash para rodar o código de inicialização além do NAND Flah.
Geralmente, o NOR Flash é usado para pequena capacidade, devido à sua alta velocidade de leitura, e é usado principalmente para armazenar informações importantes, como o sistema operacional, enquanto para NAND FLASH de grande capacidade, a aplicação NAND FLASH mais comum é o DOC (Disk On Chip), usado em sistemas embarcados e o "flash disk" que normalmente usamos, que pode ser apagado online. Atualmente, o FLASH disponível no mercado vem principalmente da Intel, AMD, Fujitsu e Toshiba, enquanto os principais fabricantes de NAND Flash são Samsung e Toshiba.
SRAM, DRAM, SDRAM
SRAM é a abreviação de Static Random Access Memory, que significa memória de acesso aleatório estática em chinês, que é um tipo de memória semicondutora. "Estático" significa que os dados armazenados na SRAM não são perdidos enquanto a energia não for cortada. Isso é diferente da RAM dinâmica (DRAM), que requer operações periódicas de atualização. Então, não devemos confundir SRAM com memória somente de leitura (ROM) e memória Flash, pois SRAM é uma memória volátil que só pode armazenar dados se a fonte de alimentação permanecer contínua. "Acesso aleatório" significa que o conteúdo da memória pode ser acessado em qualquer ordem, independentemente de qual local foi acessado anteriormente.
Cada bit da SRAM é armazenado em quatro transistores que compõem dois inversores cruzados. Essa célula de armazenamento possui dois estados estacionários, geralmente representados como 0 e 1. Dois transistores de acesso também são necessários para controlar o acesso à unidade de memória durante operações de leitura ou escrita. Portanto, um único bit de memória normalmente requer seis MOSFETs. A estrutura simétrica do circuito permite que a SRAM seja acessada mais rapidamente do que a DRAM. Outro motivo pelo qual a SRAM é mais rápida que a DRAM é que a SRAM pode receber todos os bits de endereço de uma vez, enquanto a DRAM utiliza uma estrutura de multiplexação de endereços de linha e coluna.
SRAM não deve ser confundida com SDRAM, que significa DRAM Síncrona, que é completamente diferente da SRAM. A SRAM também não deve ser confundida com a PSRAM, que é um tipo de DRAM disfarçada de SRAM.
Em termos de tipos de transistores, a SRAM pode ser dividida em dois tipos: bipolar e CMOS. Em termos de função, a SRAM pode ser dividida em SRAM assíncrona e SRAM síncrona (SSRAM). O acesso à SRAM assíncrona é independente do clock, e tanto a entrada quanto a saída de dados são controladas por mudanças de endereço. Todo o acesso à SRAM síncrona é iniciado na borda ascendente/descendente do relógio. Endereços, entradas de dados e outros sinais de controle estão todos relacionados ao sinal de clock.
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Publicado em 15/11/2014 20:52:56
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