La differenza tra EEPROM, EPROM, FLASH, SRAM, DRAM, SDRAM e SDRAM
EEPROM, EPROM, FLASH sono tutti basati su una struttura transister a porta flottante. La porta galleggiante dell'EPROM si trova in uno strato isolante di silice, e gli elettroni carichi possono essere eccitati solo dall'energia dei raggi ultravioletti; l'unità dell'EEPROM è composta da FLOTOX (transister di ossido a tuning a porta flottante) e un transister aggiuntivo, che può essere letto/scritto dall'unità grazie alle caratteristiche di FLOTOX e alla struttura a due tubi. Tecnicamente, FLASH si ottiene combinando tecnologie EPROM ed EEPROM, e molti FLASH utilizzano l'iniezione termoionica a valanga per programmare, cancellando utilizzando la sintonia Fowler-Nordheim come l'EEPROM. Ma la differenza principale è che FLASH fornisce cancellazioni a blocchi grandi o interi del chip, riducendo la complessità del progetto, e può fare a meno del Tansister extra nell'unità EEPROM, permettendo così di ottenere un'alta integrazione, grande capacità, e il processo a griglia flottante di FLASH è anch'esso diverso, con la velocità di scrittura più elevata.
Infatti, per gli utenti, la principale differenza tra EEPROM e FLASH è
1。 L'EEPROM può essere cancellata tramite "bit", mentre la FLASH può essere cancellata solo con grandi slice.
2。 L'EEPROM generalmente ha una capacità ridotta e, se è grande, non ha vantaggio di prezzo rispetto a FLASH. L'EERPOM standalone venduto sul mercato è generalmente sotto i 64KBIT, mentre la FLASH è generalmente 8MEG BIT o superiore (tipo NOR).
3。 Per quanto riguarda la velocità di lettura, non dovrebbe essere la differenza tra i due, ma EERPOM viene generalmente usato per prodotti di fascia bassa, e la velocità di lettura non deve essere così elevata.
4。 Poiché l'unità di memoria dell'EEPROM è composta da due tubi e il FLASH è uno (eccetto per l'SST, che è simile a due valvole), quindi nel caso del CYCLING, l'EEPROM è migliore del FLASH, e non ci sono problemi fino a 1000K volte.
In generale, non c'è una grande differenza tra EEPROM e FLASH per gli utenti, ma EEPROM è un prodotto di fascia bassa con bassa capacità e prezzo basso, ma la stabilità è migliore rispetto a FLASH. Ma per la progettazione di EEPROM e FLASH, FLASH è molto più difficile, sia in termini di progettazione di circuiti di processo che periferica.
La memoria flash si riferisce alla "memoria flash", la cosiddetta "memoria flash", che è anch'essa una memoria non volatile, appartenente al prodotto migliorato dell'EEPROM. La sua caratteristica principale è che deve essere cancellata per blocco (la dimensione di ciascun blocco varia, i produttori hanno specifiche differenti), mentre l'EEPROM può cancellare solo un byte alla volta. Attualmente, la "memoria flash" è ampiamente utilizzata sulle schede madri dei PC per salvare i programmi BIOS e facilitare gli aggiornamenti dei programmi. Un'altra area di applicazione importante è l'utilizzo come subs服装, che presenta i vantaggi di resistenza agli urti, alta velocità, assenza di rumore e basso consumo energetico, ma non è adatto a sostituire la RAM, perché la RAM deve poter essere riscritta byte per byte, cosa che la Flash ROM non può.
ROM e RAM si riferiscono entrambi alla memoria a semiconduttore, ROM è l'abbreviazione di Read Only Memory, e RAM è l'abbreviazione di Random Access Memory. La ROM può comunque mantenere i dati quando il sistema è spento, mentre la RAM di solito perde dati dopo un'interruzione di corrente, e la RAM tipica è la memoria del computer.
Esistono due tipi di RAM: uno si chiama static RAM (Static RAM/SRAM), SRAM è molto veloce, attualmente è il dispositivo di archiviazione più veloce da leggere e scrivere, ma è anche molto costoso, quindi viene usato solo in luoghi molto impegnativi, come il buffer CPU livello 1 o il buffer livello 2. L'altra si chiama dynamic RAM (Dynamic RAM/DRAM), la DRAM conserva i dati per un breve periodo e la velocità è più lenta della SRAM, ma è comunque più veloce di qualsiasi ROM; in termini di prezzo, la DRAM è molto più economica della SRAM, mentre la memoria del computer è la DRAM.
La DRAM è suddivisa in molti tipi, i più comuni sono FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM, SGRAM e WRAM, ecc.; ecco un'introduzione a una delle DDR RAM. La DDR RAM (Date-Rate RAM), nota anche come DDR SDRAM, è fondamentalmente la stessa della SDRAM, tranne per il fatto che può leggere e scrivere dati due volte in un solo clock, raddoppiando così la velocità di trasferimento dati. Questa è la memoria più utilizzata nei computer oggi e ha un vantaggio in termini di costo, superando un altro standard di memoria di Intel: la DRAM Rambus. Molte schede grafiche di fascia alta sono inoltre dotate di RAM DDR ad alta velocità per aumentare la larghezza di banda, il che può migliorare notevolmente le capacità di rendering dei pixel delle schede di accelerazione 3D.
Esistono anche molti tipi di ROM: PROM è ROM programmabile, la differenza tra PROM ed EPROM (ROM programmabile cancellabile) è che la PROM è usa e getta, cioè, dopo l'iniezione del software, non può essere modificata, questo è un prodotto iniziale, ora è impossibile da usare, e l'EPROM viene utilizzata tramite luce ultravioletta per cancellare il programma originale, che è una memoria universale. Un altro tipo di EEPROM è la cancellazione elettronica, molto costosa, con lunghi tempi di scrittura ed è molto lenta.
Ad esempio, il software per telefoni cellulari viene generalmente inserito in EEPROM, effettuiamo una chiamata, alcuni dei numeri più chiamati esistono temporaneamente in SRAM, non sono immediatamente scritti attraverso il record (i record delle chiamate vengono salvati in EEPROM), perché c'è un lavoro molto importante da fare in quel momento; se viene scritto, la lunga attesa diventa insopportabile per l'utente.
La memoria FLASH, nota anche come memoria flash, combina le forze di ROM e RAM, non solo offre le prestazioni di un programmabile elettronico cancellabile (EEPROM), ma può anche leggere rapidamente i dati senza perdite di potenza (vantaggio della NVRAM), utilizzata nelle chiavette USB e negli MP3. Negli ultimi 20 anni, i sistemi embedded hanno utilizzato la ROM (EPROM) come dispositivo di archiviazione, ma negli ultimi anni Flash ha completamente sostituito la ROM (EPROM) nei sistemi embedded come bootloader di storage e codice di sistema operativo o programma, oppure direttamente come disco rigido (chiavetta USB).
Attualmente, esistono due tipi principali di Flash: Flash NOR e Flash NADN. NOR Flash legge come le nostre letture comuni SDRAM, e gli utenti possono eseguire direttamente il codice caricato in NOR FLASH, il che può ridurre la capacità della SRAM e risparmiare costi. NAND Flash non adotta la tecnologia di lettura casuale in memoria, la sua lettura avviene sotto forma di una lettura alla volta, solitamente 512 byte alla volta, e Flash con questa tecnologia è più economica. Gli utenti non possono eseguire direttamente il codice su NAND Flash, quindi molte schede di sviluppo che utilizzano NAND Flash utilizzano un piccolo pezzo di NOR Flash per eseguire il codice di avvio oltre a NAND Flah.
Generalmente, la NOR Flash viene utilizzata per la capacità di piccola capacità, grazie alla sua velocità di lettura elevata, ed è principalmente impiegata per memorizzare informazioni importanti come il sistema operativo, mentre per la NAND FLASH di grande capacità, l'applicazione NAND FLASH più comune è DOC (Disk On Chip) usata nei sistemi embedded e il "flash disk" che di solito usiamo, che può essere cancellato online. Attualmente, la FLASH sul mercato proviene principalmente da Intel, AMD, Fujitsu e Toshiba, mentre i principali produttori di NAND Flash sono Samsung e Toshiba.
SRAM, DRAM, SDRAM
SRAM è l'abbreviazione di Static Random Access Memory, che in cinese significa memoria statica ad accesso casuale, un tipo di memoria a semiconduttore. "Statico" significa che i dati memorizzati nella SRAM non vengono persi finché la corrente non si interrompe. Questo è diverso dalla RAM dinamica (DRAM), che richiede periodici aggiornamenti di aggiornamento. Quindi, non dovremmo confondere la SRAM con la memoria di sola lettura (ROM) e la memoria Flash, perché la SRAM è una memoria volatile che può contenere dati solo se l'alimentatore rimane continua. "Accesso casuale" significa che il contenuto della memoria può essere consultato in qualsiasi ordine, indipendentemente dalla posizione precedentemente accessuta.
Ogni bit nella SRAM è memorizzato in quattro transistor che costituiscono due inverter accoppiati incrociati. Questa cella di stoccaggio ha due stati stazioni, solitamente rappresentati come 0 e 1. Sono inoltre necessari due transistor di accesso per controllare l'accesso all'unità di memoria durante le operazioni di lettura o scrittura. Pertanto, un singolo bit di memoria richiede tipicamente sei MOSFET. La struttura simmetrica del circuito permette di accedere alla SRAM più velocemente rispetto alla DRAM. Un altro motivo per cui la SRAM è più veloce della DRAM è che la SRAM può ricevere tutti i bit degli indirizzi contemporaneamente, mentre la DRAM utilizza una struttura di multiplexing degli indirizzi di righe e colonne.
La SRAM non va confusa con la SDRAM, che sta per Synchronous DRAM, completamente diversa dalla SRAM. La SRAM non va inoltre confusa con la PSRAM, che è un tipo di DRAM camuffata da SRAM.
In termini di tipi di transistor, la SRAM può essere suddivisa in due tipi: bipolare e CMOS. In termini di funzione, la SRAM può essere suddivisa in SRAM asincrona e SRAM sincrona (SSRAM). L'accesso alla SRAM asincrona è indipendente dal clock, e sia l'ingresso che l'uscita dei dati sono controllati dai cambi di indirizzo. Tutto l'accesso alla SRAM sincrona viene avviato sul bordo ascendente/discendente dell'orologio. Indirizzi, ingressi dati e altri segnali di controllo sono tutti collegati al segnale di clock.
|
Pubblicato su 15/11/2014 20:52:56
|
|
|
