Разница между EEPROM, EPROM, FLASH, SRAM, DRAM, SDRAM и SDRAM
EEPROM, EPROM, FLASH все основаны на плавущей структуре транссестры с плавающими воротами. Плавающий затвор EPROM находится в изолирующем слое кремнезёма, и заряженные электроны могут возбуждаться только энергией ультрафиолетовых лучей, а единица EEPROM состоит из FLOTOX (Floating-gate tunling oxide transsister) и дополнительного трансистера, который может читать/записываться блоком благодаря характеристикам FLOTOX и двухтрубной структуре. Технически FLASH достигается за счёт объединения технологий EPROM и EEPROM, и многие FLASH используют лавинную термоэлектронную инъекцию для программирования, стирая их с помощью настройки Fowler-Nordheim, подобных EEPROM. Но главное отличие в том, что FLASH обеспечивает удаление микросхемы больших или целых блоков, что снижает сложность конструкции, и он может обойтись без дополнительной Tansister в EEPROM, что позволяет обеспечить высокую интеграцию, большую ёмкость, а процесс плавающей сетки FLASH тоже отличается, а скорость записи выше.
На самом деле, для пользователей главное отличие между EEPROM и FLASH заключается в том, что
1。 EEPROM можно стереть по «биту», а FLASH — только крупными срезами.
2。 EEPROM обычно имеет небольшую ёмкость, и если она большая, у EEPROM нет ценового преимущества по отношению к FLASH. Самостоятельный EERPOM, продаваемый на рынке, обычно стоит менее 64 КБИТ, тогда как FLASH обычно имеет 8 МГГ БИТ и выше (тип NOR).
3。 Что касается скорости чтения, то это не должно быть решающим фактором, но EERPOM обычно используется для недорогих продуктов, и скорость чтения не обязательно должна быть такой высокой.
4。 Поскольку блок памяти в EEPROM состоит из двух ламп, а FLASH — одной (за исключением SST, который похож на две лампы), поэтому в случае CYCLING EEPROM лучше FLASH, и проблем нет до 1000 тысяч раз.
В целом, для пользователей нет большой разницы между EEPROM и FLASH, но EEPROM — это недорогой продукт с небольшой ёмкостью и низкой ценой, но стабильность лучше, чем у FLASH. Но для проектирования EEPROM и FLASH FLASH гораздо сложнее как с точки зрения процесса, так и с точки зрения проектирования периферийных схем.
Флеш-память относится к «флэш-памяти», так называемой «флэш-памяти», которая также является энергонезависимой и относится к усовершенствованному продукту EEPROM. Его главная особенность — стирать блок по блокам (размер каждого блока варьируется, у разных производителей разные спецификации), тогда как EEPROM может стирать только один байт за раз. В настоящее время «флеш-память» широко используется на материнских платах ПК для сохранения программ BIOS и облегчения обновления программ. Ещё одна важная область применения — использовать её как субстанцию, обладающую преимуществами ударостойкости, высокой скорости, отсутствия шума и низкого энергопотребления, но она не подходит для замены оперативной памяти, поскольку её нужно переписывать байт за байтом, чего Flash ROM не может.
ROM и RAM оба относятся к полупроводниковой памяти, ROM — это сокращение от Read Only Memory, а RAM — это сокращение от Random Access Memory. ROM всё ещё может сохранять данные после выключения системы, в то время как RAM обычно теряет данные после отключения электроэнергии, и типичная память — это память компьютера.
Существует два типа оперативной памяти: один называется статической (Static RAM/SRAM), SRAM очень быстрая, в настоящее время это самое быстрое устройство для чтения и записи, но она очень дорогая, поэтому используется только в очень требовательных местах, таких как буфер CPU уровня 1 или буфер уровня 2. Другая называется динамической RAM (Dynamic RAM/DRAM), DRAM хранит данные короткое время, скорость ниже, чем у SRAM, но всё равно быстрее любой ROM, хотя по цене DRAM значительно дешевле SRAM, а компьютерная память — это DRAM.
DRAM делится на многие типы, распространённые из них — FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM, SGRAM и WRAM и др. Вот введение в один из DDR RAM. DDR RAM (Date-Rate RAM), также известная как DDR SDRAM, по сути аналогична SDRAM, за исключением того, что может читать и записывать данные дважды за один такт, что удваивает скорость передачи данных. Это самая используемая память в компьютерах сегодня, и она имеет преимущество по стоимости, фактически превосходя другой стандарт памяти Intel — Rambus DRAM. Многие высококлассные видеокарты также оснащены высокоскоростной DDR-оперативной памятью для увеличения пропускной способности, что значительно улучшает возможности рендеринга пикселей в 3D-картах ускорения.
Существует также множество видов ROM: PROM — это программируемая ROM, отличие между PROM и EPROM (стираемая программируемая ROM) в том, что PROM одноразов, то есть после внедрения программного обеспечения его нельзя модифицировать, это ранний продукт, теперь его невозможно использовать, а EPROM с помощью ультрафиолетового света стирает оригинальную программу, которая является универсальной памятью. Другой тип EEPROM — это электронное удаление, что очень дорого, требует длительного времени записи и работает очень медленно.
Например, мобильное программное обеспечение обычно размещается в EEPROM, мы совершаем звонок, некоторые из последних набранных номеров временно хранятся в SRAM, а не сразу записываются через запись (записи звонков сохраняются в EEPROM), потому что в это время есть очень важная работа (звонок), и если он записан, долгое ожидание становится невыносимым для пользователя.
FLASH-память, также известная как флеш-память, сочетает преимущества ПЗУ и оперативной памяти, не только обладает производительностью электронной стираемой программируемой памяти (EEPROM), но и способна быстро читать данные без отключения питания (преимущество NVRAM), которая используется в USB-флешках и MP3. В течение последних 20 лет встроенные системы используют ROM (EPROM) в качестве устройства хранения, но в последние годы Flash полностью заменил ROM (EPROM) во встроенных системах в виде загрузчика хранения и операционного кода или программного кода или напрямую в виде жёсткого диска (USB-флешки).
В настоящее время существует два основных типа вспышек: NOR Flash и NADN Flash. NOR Flash читает так же, как и наши распространённые SDRAM-считывания, и пользователи могут напрямую запускать код, загруженный в NOR FLASH, что снижает ёмкость SRAM и экономит расходы. NAND Flash не использует технологию случайного чтения памяти, его чтение осуществляется в виде одного чтения за раз, обычно по 512 байт за раз, и с этой технологией Flash дешевле. Пользователи не могут напрямую запускать код на NAND Flash, поэтому многие платы с NAND Flash используют небольшой фрагмент NOR Flash для запуска загрузочного кода помимо NAND Flah.
Как правило, NOR Flash используется для небольшой ёмкости благодаря высокой скорости чтения и в основном для хранения важной информации, такой как операционная система, тогда как для большой ёмкости NAND FLASH наиболее распространённым приложением является DOC (Disk On Chip), используемый в встроенных системах, и «флеш-диск», который мы обычно используем и который можно стереть онлайн. В настоящее время FLASH на рынке в основном производит Intel, AMD, Fujitsu и Toshiba, а основными производителями NAND Flash являются Samsung и Toshiba.
СРАМ, ДРАМ, СДРАМ
SRAM — это сокращение от статической памяти с произвольным доступом, что на китайском означает статическую память с произвольным доступом, являющийся разновидностью полупроводниковой памяти. «Статический» означает, что данные, хранящиеся в SRAM, не теряются, пока питание не отключается. Это отличается от динамической оперативной памяти (DRAM), которая требует периодических операций обновления. Тогда не следует путать SRAM с памятью только для чтения (ROM) и флеш-памятью, поскольку SRAM — это энергонезависимая память, способная хранить данные только при непрерывном подключении источника питания. «Случайный доступ» означает, что содержимое памяти можно получить доступ в любом порядке, независимо от того, в каком месте был использован ранее.
Каждый бит SRAM хранится в четырёх транзисторах, которые образуют два перекрёстно-связанных инвертора. Эта ячейка хранения имеет два устойчивых состояния, обычно обозначаемых как 0 и 1. Также требуются два транзистора доступа для управления доступом к блоку памяти во время операций чтения или записи. Поэтому для одного бита памяти обычно требуется шесть MOSFET. Симметричная структура схемы позволяет получать доступ к SRAM быстрее, чем к DRAM. Ещё одна причина, по которой SRAM быстрее DRAM, заключается в том, что SRAM может принимать все биты адресов одновременно, тогда как DRAM использует структуру мультиплексирования адресов строк и столбцов.
SRAM не следует путать с SDRAM, которая расшифровывается как Синхронная DRAM, что полностью отличается от SRAM. SRAM также не следует путать с PSRAM, который представляет собой тип DRAM, замаскированный под SRAM.
С точки зрения типов транзисторов SRAM можно разделить на два типа: биполярный и CMOS. По функциональности SRAM можно разделить на асинхронную SRAM и синхронную SRAM (SSRAM). Доступ к асинхронной SRAM не зависит от тактового сигнала, и как вход, так и вывод данных регулируются изменением адресов. Весь доступ к синхронной SRAM инициируется на восходящем/нисходящем краю тактового сигнала. Адреса, входные данные и другие управляющие сигналы связаны с тактовым сигналом.
|
Опубликовано 15.11.2014 20:52:56
|
|
|
