Forskjellen mellom EEPROM, EPROM, FLASH, SRAM, DRAM, SDRAM og SDRAM
EEPROM, EPROM, FLASH er alle basert på en flytende port-transisterstruktur. Den flytende porten til EPROM ligger i et isolerende silikalag, og de ladede elektronene kan kun eksiteres av energien fra ultrafiolette stråler, og enheten i EEPROM består av FLOTOX (Floating-gate tuneling oxide transister) og en ekstra transister, som kan leses/skrives av enheten på grunn av egenskapene til FLOTOX og to-rørsstrukturen. Teknisk oppnås FLASH ved å kombinere EPROM- og EEPROM-teknologier, og mange FLASH bruker snøskred-termionisk injeksjon for programmering, og sletter ved hjelp av Fowler-Nordheim-tuning som EEPROM. Men hovedforskjellen er at FLASH gir store eller hele blokkslettinger av brikken, noe som reduserer kompleksiteten i designet, og det kan klare seg uten den ekstra Tansister i EEPROM-enheten, så det kan oppnå høy integrasjon, stor kapasitet, og flytende rutenettet-prosessen i FLASH er også annerledes, og skrivehastigheten er raskere.
Faktisk er hovedforskjellen mellom EEPROM og FLASH for brukerne den viktigste forskjellen
1。 EEPROM kan slettes med «bit», mens FLASH kun kan slettes med store snitt.
2。 EEPROM har vanligvis en liten kapasitet, og hvis den er stor, har EEPROM ingen prisfordel sammenlignet med FLASH. Den frittstående EERPOM som selges på markedet er vanligvis under 64KBIT, mens FLASH vanligvis er 8MEG BIT eller høyere (NOR-type).
3。 Når det gjelder lesehastighet, bør det ikke være forskjellen mellom de to, men EERPOM brukes vanligvis for lavprisprodukter, og lesehastigheten trenger ikke å være så rask.
4。 Fordi minneenheten i EEPROM er to rør og FLASH er én (bortsett fra SST, som ligner på to rør), er EEPROM bedre enn FLASH i tilfellet CYCLING, og det er ikke noe problem opptil 1000K ganger.
Generelt er det ingen stor forskjell mellom EEPROM og FLASH for brukere, men EEPROM er et lavprisprodukt med lav kapasitet og lav pris, men stabiliteten er bedre enn FLASH. Men for designet av EEPROM og FLASH er FLASH mye vanskeligere, både når det gjelder prosess- og periferikretsdesign.
Flashminne refererer til "flashminne", det såkalte "flashminnet", som også er et ikke-flyktig minne, og som tilhører det forbedrede produktet av EEPROM. Den største funksjonen er at den må slettes per blokk (størrelsen på hver blokk varierer, forskjellige produsenter har ulike spesifikasjoner), mens EEPROM kun kan slette én byte om gangen. I dag brukes «flashminne» mye på PC-hovedkort for å lagre BIOS-programmer og legge til rette for programoppgraderinger. Et annet viktig bruksområde er å bruke det som en subs服装, som har fordelene med støtmotstand, høy hastighet, ingen støy og lavt strømforbruk, men det er ikke egnet til å erstatte RAM, fordi RAM må kunne omskrives byte for byte, noe Flash-ROM ikke kan.
ROM og RAM refererer begge til halvlederminne, ROM er forkortelsen for Read Only Memory, og RAM er forkortelsen for Random Access Memory. ROM kan fortsatt opprettholde data når systemet er slått av, mens RAM vanligvis mister data etter strømbrudd, og typisk RAM er datamaskinens minne.
Det finnes to typer RAM, den ene kalles statisk RAM (statisk RAM/SRAM), SRAM er veldig rask, det er for øyeblikket den raskeste lagringsenheten å lese og skrive, men den er også veldig dyr, så den brukes kun i svært krevende områder, som CPU nivå 1 buffer og nivå 2 buffer. Den andre kalles dynamisk RAM (Dynamic RAM/DRAM), DRAM beholder data i kort tid, og hastigheten er lavere enn SRAM, men den er fortsatt raskere enn noen ROM, men prismessig er DRAM mye billigere enn SRAM, og datamaskinminne er DRAM.
DRAM deles inn i mange typer, de vanligste er FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM, SGRAM og WRAM, osv., her er en introduksjon til en av DDR RAM. DDR RAM (Date-Rate RAM), også kjent som DDR SDRAM, er i bunn og grunn det samme som SDRAM, bortsett fra at det kan lese og skrive data to ganger i én klokke, noe som dobler dataoverføringshastigheten. Dette er det mest brukte minnet i dagens datamaskiner, og det har faktisk en kostnadsfordel, og slår faktisk en annen minnestandard fra Intel – Rambus DRAM. Mange avanserte grafikkort er også utstyrt med høyhastighets DDR-RAM for å øke båndbredden, noe som kan forbedre pikselgjengivelsesmulighetene til 3D-akselerasjonskort betydelig.
Det finnes også mange typer ROM-er, PROM er programmerbar ROM, forskjellen mellom PROM og EPROM (slettebar programmerbar ROM) er at PROM er engangs, det vil si at etter at programvaren er injisert, kan den ikke endres, dette er et tidlig produkt, nå er det umulig å bruke, og EPROM er gjennom ultrafiolett lys for å slette det opprinnelige programmet, som er et universelt minne. En annen type EEPROM er elektronisk slettet, noe som er veldig dyrt, har lang skrivetid og er veldig treg.
For eksempel plasseres mobiltelefonprogramvare vanligvis i EEPROM, vi ringer, noen av de siste numrene som ringes, eksisterer midlertidig i SRAM, ikke umiddelbart skrevet gjennom loggen (samtalelogger lagres i EEPROM), fordi det er veldig viktig arbeid (samtale) å gjøre da, og hvis det skrives, er den lange ventetiden uutholdelig for brukeren.
FLASH-minne, også kjent som flashminne, kombinerer styrkene til ROM og RAM, har ikke bare ytelsen til elektronisk slettbar programmerbar (EEPROM), men kan også raskt lese data uten strømbrudd (fordelen med NVRAM), som brukes i USB-minnepinner og MP3-filer. De siste 20 årene har innebygde systemer brukt ROM (EPROM) som lagringsenhet, men de siste årene har Flash fullstendig erstattet ROM (EPROM) i innebygde systemer som en lagringsbootloader og operativsystem- eller programkode, eller direkte som en harddisk (USB-minnepinne).
For øyeblikket finnes det to hovedtyper Flash: NOR Flash og NADN Flash. NOR Flash leser på samme måte som våre vanlige SDRAM-lesninger, og brukere kan kjøre koden direkte lastet inn i NOR FLASH, noe som kan redusere kapasiteten til SRAM og spare kostnader. NAND Flash benytter ikke minne-tilfeldig leseteknologi, lesingen utføres i form av én lesing om gangen, vanligvis 512 byte om gangen, og Flash med denne teknologien er billigere. Brukere kan ikke kjøre koden direkte på NAND Flash, så mange utviklingskort som bruker NAND Flash bruker en liten bit NOR Flash for å kjøre oppstartskoden i tillegg til NAND Flah.
Generelt brukes NOR Flash for liten kapasitet, på grunn av sin raske lesehastighet, og brukes mest til å lagre viktig informasjon som operativsystemet, mens for storkapasitets NAND FLASH er den vanligste NAND FLASH-applikasjonen DOC (Disk On Chip) som brukes i innebygde systemer og "flash disk" vi vanligvis bruker, som kan slettes på nettet. For øyeblikket kommer FLASH på markedet hovedsakelig fra Intel, AMD, Fujitsu og Toshiba, mens hovedprodusentene av NAND Flash er Samsung og Toshiba.
SRAM, DRAM, SDRAM
SRAM er forkortelsen for statisk tilfeldig tilgangsminne, som betyr statisk tilfeldig tilgangsminne på kinesisk, som er en type halvlederminne. "Statisk" betyr at data lagret i SRAM ikke går tapt så lenge strømmen ikke går. Dette er forskjellig fra dynamisk RAM (DRAM), som krever periodiske oppdateringsoperasjoner. Deretter bør vi ikke forveksle SRAM med skrivebeskyttet minne (ROM) og Flash-minne, fordi SRAM er et flyktig minne som bare kan holde data hvis strømforsyningen forblir kontinuerlig. "Tilfeldig tilgang" betyr at innholdet i minnet kan nås i hvilken som helst rekkefølge, uavhengig av hvilket sted som tidligere ble aksessert.
Hver bit i SRAM-en lagres i fire transistorer som utgjør to krysskoblede invertere. Denne lagringscellen har to stasjonære tilstander, vanligvis representert som 0 og 1. To tilgangstransistorer kreves også for å kontrollere tilgangen til minneenheten under lese- eller skriveoperasjoner. Derfor krever en enkelt minnebit vanligvis seks MOSFET-er. Den symmetriske kretsstrukturen gjør at SRAM kan nås raskere enn DRAM. En annen grunn til at SRAM er raskere enn DRAM, er at SRAM kan motta alle adressebiter samtidig, mens DRAM bruker en struktur med rad- og kolonneadressemultipleksing.
SRAM må ikke forveksles med SDRAM, som står for Synchronous DRAM, som er helt forskjellig fra SRAM. SRAM må heller ikke forveksles med PSRAM, som er en type DRAM forkledd som SRAM.
Når det gjelder transistortyper, kan SRAM deles inn i to typer: bipolar og CMOS. Når det gjelder funksjon, kan SRAM deles inn i asynkron SRAM og synkron SRAM (SSRAM). Tilgang til asynkron SRAM er klokkeuavhengig, og både datainn- og utgang styres av adresseendringer. All tilgang til synkron SRAM initieres på klokkens stigende/fallende kant. Adresser, datainnganger og andre kontrollsignaler er alle relatert til klokkesignalet.
|
Publisert på 15.11.2014 20:52:56
|
|
|
