La diferencia entre EEPROM, EPROM, FLASH, SRAM, DRAM, SDRAM y SDRAM
EEPROM, EPROM, FLASH están todos basados en una estructura de transister de puerta flotante. La compuerta flotante de la EPROM está en una capa aislante de sílice, y los electrones cargados solo pueden excitarse por la energía de los rayos ultravioleta; la unidad de EEPROM está compuesta por FLOTOX (transister de óxido de sintonización de puerta flotante) y un transister adicional, que puede ser leído/escrito por la unidad debido a las características de FLOTOX y la estructura de dos tubos. Técnicamente, FLASH se consigue combinando tecnologías EPROM y EEPROM, y muchas FLASH utilizan inyección termoiónica por avalancha para programar, borrando usando ajustes Fowler-Nordheim como EEPROM. Pero la principal diferencia es que FLASH proporciona borrados grandes o completos del chip, lo que reduce la complejidad del diseño, y puede prescindir del Tansister extra en la unidad EEPROM, por lo que puede lograr alta integración, gran capacidad, y el proceso de cuadrícula flotante de FLASH también es diferente, además de que la velocidad de escritura es más rápida.
De hecho, para los usuarios, la principal diferencia entre EEPROM y FLASH es
1。 La EEPROM puede borrarse mediante "bit", mientras que FLASH solo puede borrarse con cortes grandes.
2。 La EEPROM generalmente tiene una capacidad pequeña y, si es grande, no tiene ventaja de precio respecto a la FLASH. El EERPOM independiente que se vende en el mercado suele estar por debajo de 64KBIT, mientras que la FLASH suele ser de 8MEG BIT o superior (tipo NOR).
3。 En cuanto a la velocidad de lectura, no debería ser la diferencia entre ambos, pero EERPOM se usa generalmente para productos de gama baja, y la velocidad de lectura no tiene por qué ser tan rápida.
4。 Como la unidad de memoria de EEPROM es de dos tubos y FLASH es uno (excepto SST, que es similar a dos tubos), en el caso de CICLAR, EEPROM es mejor que FLASH, y no hay problema hasta 1000K veces.
En general, no hay una gran diferencia entre EEPROM y FLASH para los usuarios, pero EEPROM es un producto de gama baja con baja capacidad y precio barato, aunque la estabilidad es mejor que FLASH. Pero para el diseño de EEPROM y FLASH, FLASH es mucho más difícil, tanto en términos de diseño de procesos como de circuitos periféricos.
La memoria flash se refiere a la "memoria flash", la llamada "memoria flash", que también es una memoria no volátil, que pertenece al producto mejorado de la EEPROM. Su característica más importante es que debe borrarse por bloque (el tamaño de cada bloque varía, cada fabricante tiene distintas especificaciones), mientras que EEPROM solo puede borrar un byte a la vez. Actualmente, la "memoria flash" se utiliza ampliamente en placas base de PC para guardar programas BIOS y facilitar actualizaciones de programas. Otra área de aplicación importante es usarla como subs服装, que tiene las ventajas de resistencia a golpes, alta velocidad, ausencia de ruido y bajo consumo energético, pero no es adecuada para reemplazar la RAM, porque la RAM necesita poder reescribirse byte a byte, cosa que la Flash ROM no puede.
ROM y RAM se refieren a memoria semiconductora, ROM es la abreviatura de Read Only Memory, y RAM es la abreviatura de Random Access Memory. La ROM puede mantener datos cuando el sistema está apagado, mientras que la RAM suele perder datos tras un corte de energía, y la RAM típica es la memoria del ordenador.
Hay dos tipos de RAM: uno se llama RAM estática (RAM estática/SRAM), la SRAM es muy rápida, actualmente es el dispositivo de almacenamiento más rápido para leer y escribir, pero también es muy cara, por lo que solo se usa en lugares muy exigentes, como el buffer nivel 1 de la CPU o el buffer de nivel 2. La otra se llama RAM dinámica (Dynamic RAM/DRAM), la DRAM retiene datos durante un corto tiempo, y la velocidad es más lenta que la de la SRAM, pero sigue siendo más rápida que cualquier ROM, aunque en términos de precio, la DRAM es mucho más barata que la SRAM y la memoria del ordenador es la DRAM.
La DRAM se divide en muchos tipos, los más comunes son FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR RAM, RDRAM, SGRAM y WRAM, etc.; aquí tienes una introducción a una de las DDR RAM. La RAM DDR (Date-Rate RAM), también conocida como DDR SDRAM, es básicamente igual que la SDRAM, salvo que puede leer y escribir datos dos veces en un mismo tiempo, lo que duplica la velocidad de transferencia de datos. Esta es la memoria más utilizada en los ordenadores hoy en día, y de hecho tiene una ventaja de coste, superando a otro estándar de memoria de Intel: la DRAM Rambus. Muchas tarjetas gráficas de gama alta también están equipadas con RAM DDR de alta velocidad para aumentar el ancho de banda, lo que puede mejorar considerablemente las capacidades de renderizado de píxeles de las tarjetas de aceleración 3D.
También existen muchos tipos de ROMs; PROM es ROM programable, la diferencia entre PROM y EPROM (ROM programable borrable) es que la PROM es desechable, es decir, después de inyectar el software, no puede modificarse, este es un producto temprano, ahora es imposible de usar, y la EPROM se utiliza mediante luz ultravioleta para borrar el programa original, que es una memoria universal. Otro tipo de EEPROM es la de borrado electrónico, que es muy cara, tiene un tiempo de escritura largo y es muy lenta.
Por ejemplo, el software de teléfono móvil generalmente se coloca en EEPROM, hacemos una llamada, algunos de los últimos números marcados existen temporalmente en SRAM, no se escriben inmediatamente a través del registro (los registros de llamadas se guardan en EEPROM), porque hay un trabajo muy importante (llamada) que hacer en ese momento; si se escribe, la larga espera es insoportable para el usuario.
La memoria FLASH, también conocida como memoria flash, combina las potencias de la ROM y la RAM, no solo tiene el rendimiento de la programación electrónica borrable (EEPROM), sino que también puede leer datos rápidamente sin pérdida de energía (ventaja de la NVRAM), que se utiliza en memorias USB y MP3. Durante los últimos 20 años, los sistemas embebidos han utilizado ROM (EPROM) como dispositivo de almacenamiento, pero en los últimos años Flash ha reemplazado completamente la ROM (EPROM) en sistemas embebidos como cargador de arranque de almacenamiento y código de programa o sistema operativo, o directamente como disco duro (memoria USB flash).
Actualmente, existen dos tipos principales de flash: Flash NOR y flash NADN. La memoria NOR Flash lee igual que nuestras lecturas comunes de SDRAM, y los usuarios pueden ejecutar directamente el código cargado en NOR FLASH, lo que puede reducir la capacidad de la SRAM y ahorrar costes. NAND Flash no adopta la tecnología de lectura aleatoria en memoria, su lectura se realiza en forma de una lectura a la vez, normalmente 512 bytes a la vez, y Flash con esta tecnología es más barata. Los usuarios no pueden ejecutar el código directamente en NAND Flash, por lo que muchas placas de desarrollo que usan NAND Flash utilizan una pequeña parte de NOR Flash para ejecutar el código de arranque además de NAND Flah.
Generalmente, la NOR Flash se utiliza para pequeña capacidad, debido a su rápida velocidad de lectura, y se utiliza principalmente para almacenar información importante como el sistema operativo, mientras que para la NAND FLASH de gran capacidad, la aplicación NAND FLASH más común es DOC (Disk On Chip) utilizada en sistemas embebidos y el "disco flash" que normalmente usamos, que puede borrarse en línea. Actualmente, el FLASH disponible en el mercado proviene principalmente de Intel, AMD, Fujitsu y Toshiba, mientras que los principales fabricantes de NAND Flash son Samsung y Toshiba.
SRAM, DRAM, SDRAM
SRAM es la abreviatura de Static Random Access Memory, que en chino significa memoria de acceso aleatorio estática, que es un tipo de memoria semiconductora. "Estático" significa que los datos almacenados en la SRAM no se pierden siempre que no se corte la energía. Esto es diferente de la RAM dinámica (DRAM), que requiere operaciones periódicas de refresco. Entonces, no debemos confundir la SRAM con la memoria de solo lectura (ROM) y la memoria Flash, porque la SRAM es una memoria volátil que solo puede almacenar datos si la fuente de alimentación permanece continua. "Acceso aleatorio" significa que el contenido de la memoria puede ser accedido en cualquier orden, independientemente de la ubicación a la que se accediera previamente.
Cada bit de la SRAM se almacena en cuatro transistores que conforman dos inversores acoplados cruzados. Esta celda de almacenamiento tiene dos estados estacionarios, normalmente representados como 0 y 1. También se requieren dos transistores de acceso para controlar el acceso a la unidad de memoria durante las operaciones de lectura o escritura. Por lo tanto, un solo bit de memoria suele requerir seis MOSFETs. La estructura simétrica del circuito permite acceder a la SRAM más rápido que la DRAM. Otra razón por la que la SRAM es más rápida que la DRAM es que la SRAM puede recibir todos los bits de dirección a la vez (DRAM), mientras que la DRAM utiliza una estructura de multiplexación de direcciones de fila y columna.
La SRAM no debe confundirse con SDRAM, que significa DRAM síncrona, que es completamente diferente de la SRAM. Tampoco debe confundirse la SRAM con la PSRAM, que es un tipo de DRAM disfrazada de SRAM.
En cuanto a tipos de transistores, la SRAM puede dividirse en dos tipos: bipolar y CMOS. En cuanto a la función, la SRAM puede dividirse en SRAM asincrónica y SRAM síncrona (SSRAM). El acceso a la SRAM asíncrona es independiente del reloj, y tanto la entrada como la salida de datos están controladas por cambios de dirección. Todo el acceso a la SRAM síncrona se inicia en el borde ascendente/descendente del reloj. Las direcciones, entradas de datos y otras señales de control están todas relacionadas con la señal de reloj.
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Publicado en 15/11/2014 20:52:56
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